접합다이오드 예비레포트

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목차

실험목표
관련 기초이론

본문내용

실험목표
1. 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
2. 접합 다이오드의 전압-전류특성을 실험적으로 측정하고 그래프를 그려본다.
3. 옴메타로 접합 다이오드를 검사한다.

관련 기초이론
(1) 반도체 : 저항률이 전도체와 절연체 사이에 존재하는 고체

1) 종류 : 트랜지스터, 접합 다이오드, 제너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로 등
2) 응용 : 반도체 소자의 제어기능은 정류기, 증폭기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 사용
3) 제조 : 초기에는 반도체 재료로 게르마늄 (Ge) 이 많이 쓰였으나 요즘은 대부분이 높은 온도에서도 잘 견딜 수 있는 실리콘 (Si) 으로 많이 제조된다.
4) 도핑 : 순수한 상태에서 이들 반도체는 저항율이 높아서 전도도가 매우 낮게 되므로 미세한 양의 불순물을 가하여 Ge나 Si의 전도도를 증가시킬 수 있는데 이를 doping 이라 한다. doping시 첨가시키는 불순물은 다음과 같다.
■ 3가 불순물 : p형 반도체가 만들어짐, 정공수 증가 : Al, B, Ga (accepter)
■ 5가 불순물 : n형 반도체가 만들어짐, 자유전자수 증가 : As, Sb, P, An
(donor impurities)

(2) 반도체의 전류 캐리어
반도체 다이오드와 트랜지스터의 전류흐름은 (+)전하 캐리어와 (-)전하 캐리어의 이동으로 이루어지는데, 이 (-)전하 캐리어를 자유전자라 하고, (+)전하 캐리어를 정공이라 한다. n형 반도체의 전류흐름은 다수 캐리어인 자유 전자에 의해 이루어지고, 반대로 p형 반도체의 전류흐름은 다수 캐리어인 정공에 의해 이루어지게 된다.

참고 자료

없음