LNA_Design_Method(소자선택, DC bias 회로, BPF와 비교, LNA기본원리, 동작원리, LNA 설계)
- 최초 등록일
- 2009.01.13
- 최종 저작일
- 2008.05
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소개글
LNA Design Method
목차
1. LNA Design – 소자 선택
2. DC bias 회로
3.1) LNA란 무엇인가?
3.2) LNA 기본이론-Stability
3.3) LNA 동작원리
4. LNA 설계(Summary)
본문내용
1. LNA Design – 소자 선택
Microwave Transistors 특성
Application : amplifier, oscillator, phase shifter, mixer, active filter
Bipolar Transistor 가격이 싸고, 저주파에서 높은 파워와 이득을 가짐 Silicon bipolar transistor : 10GHz 이하에서 동작 가능 HBT(Hetero junction bipolar transistor) : millimeter wave frequency
Field effect transistor(FET) 높은 파워와 효율성을 가짐 GaGs FET(better noise figure, 100GHz 이상에서 동작 가능)
Amplifier Design 고려사항
Stability
Gain(or power)
Noise figure
LNA 설계에 있어서 noise가 중요하므로, noise가 우수한 소자를 선택
소자 : ATF-36077(PHEMT : Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)
ATF-36077 TR의 기본 특성
일반소자들과 다르게 전자만 사용 => 전공의 이동속도가 느린 것 대신 전자의 빠른 이동속도 이용 => 고주파대역에서 다른 소자들에 비해 더 빠른 응답속도를 얻음
Low Parasitic Ceramic Microstrip Package
Operating range : 2 ~ 18GHz
12GHz 대역 : 12dB Gain, 0.5dB noise figure 제공
4GHz 대역 : 17dB Gain, 0.3dB noise figure 제공
Broadband LNA 설계가 쉬움(매우 낮은 noise resistance)
적용분야 : Ku-Band DBS(Direct Broadcast Satellite) Television system C-Band Television system
Pin Configuration
참고 자료
없음
