트랜지스터 전압 전류 특성(실험보고서)

소개글

트랜지스터 전압 전류 특성에 관한 실험 보고서 입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과

본문내용

1. 실험 목적
트랜지스터의 특성을 분석하고 이미터 공통 회로 트랜지스터의 전류-전압 특성을 simulation과 실험을 통하여 이해한다.

2. 관련 이론

트랜지스터
- 트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물을 실리콘에 첨가된 반도체
- 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화
- n-형 반도체에서는 전하의 운반자가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다.
- 트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)
- BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 쌍극성이며 입력전류에 따라서 출력전압이 쉽게 변화
- 증폭기로 널리 사용되며 발진기, 고속 집적회로, 스위칭 회로에서 핵심 부품

MOSFET
- 공핍형과 매우 흡사

- 차이가 있다면 D-S 간에 있었던 n채널이 없다.
- Vgs가 0V 일때는 D-S간에 채널이 없으므로 스위치 off 상태


위 그림에서 검은색은 금속(metal)을 의미 한다. 빗금친 영역은 바로 산화막을 의미한다. 그런데 이 산화막이 그림에서는 두껍게 처리 했으나 실상 그 두께는 얇다. mos의 의미는 metal oxide semiconductor로 금속과 산화물을 반도체에 붇여 놓았다 라는 의미이다.
드레인과 소스 단자는 금속을 도핑된 영역에 접촉함으로서 연결되고 게이트의 경우도 단자와 금속은 결합해 있으나 그림에서와 같이 산화막에 의하여 단자와 물질 간은 확실히 전기적으로 분리되어 있다. 게이트는 산화막 때문에 전류는 역시 거의 흐르지 않는다.

참고 자료

없음