실험 4. Diode 및 BJT 특성

소개글

☞ 다이오드(Diode)와 BJT의 전류-전압 특성을 이해하고, 이를 이용한 회로의 특성을 공부한다.

목차

Ⅰ. Diode
1)Half Rectifier and Peak-to-Peak Rectifier
2)transfer curve 를 통한 vo(t)와 R, freq간의 관계 분석
3) 쇼트키 다이오드 사용시의 transfer curve 변화 관찰
4)Vo(t)기울기의 측정
5) 저항에 따른 DC,AC전압 변화 관찰
6)Voltage 4배로 해주는 회로
7) 자유실험-Limiter circuit

Ⅱ.BJT
1) Vbe,Ib,Ic,beta
2)Vce-Ic 관계 분석
3)Vcb-Ic 간의 관계 분석
4)K값에 의한 BJT의 작동 region 분석
5)2 stage BJT circuit
6)Vo-Vi 관계분석

Ⅲ. 토의

본문내용

<추가조사>쇼트키 다이오드의 특징
일반다이오드는 PN접합인 반면 쇼트키 다이오드는 반도체+금속으로 된 다이오드이다. 일반다이오드의 경우 VT가 0.6~0.7V 정도이고 전원을 끊었을때도 내부에 남아 있는 소수캐리어에 의해 전원이 바로 끊어지지 않고 약간의 시간동안 전류가 더 흐르게 된다(역회복 현상). 반면 쇼트키 배리어 다이오드는VT가 0.4V로 일반 다이오드보다 절반정도로 낮습니다. 또한 소수캐리어가 아닌 다수캐리어에 의해서는 전류가 흐르기 때문에 축적효과가 없어 역회복시간이 매우 짧다. 그렇기 때문에 쇼트키 다이오드는 저전압이면서, 대전류, 고속 정류등에 많이 사용됩니다. 쇼트키 다이오드의 약점으로 Leakage current가 높다는 것과, 내압이 비교적 낮다(보통 100V이하)는 것이 있다. 그래서 비교적 낮은 전압+대전류 정류에 많이 사용된다

참고 자료

없음