[실험 1] BJT 전류전압(Ic-VCE)특성

소개글

BJT 전류전압(Ic-VCE)특성 실험 보고서로 예비와 결과를 묶었습니다.
시뮬레이션과 반도체 칩을 이용한 실험 결과가 포함되어 있습니다.

목차

[예비보고서]
1. 실험 목적

2. 기초 이론
(1) BJT 구조와 기호
(2) BJT 동작 특성
(3) collector 특성
(4) MOSFET 의 구조 및 특성
(5) MOSFET의 전류-전압(I-V) 특성

3. 시뮬레이션
• 시뮬레이션 결과 그래프 해석

[결과보고서]
1. 실험 결과 : 실험 결과 그래프 포함
2. 그래프 해석 및 특성분석
3. 비고 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
- 반도체 특성 측정 장비들의 사용을 익힌다.
- BJT의 전류 전압 특성을 실험을 통해 확인한다.

2. 기초 이론
(1) BJT 구조와 기호
(2) BJT 동작 특성
1. 활성(active)영역 : BE접합은 순방향, BC접합은 역방향 바이어스가 걸려 있음.
2. 포화(saturation)영역 : BE, BC접합 모두 순방향 바이어스가 걸려 있음.
3. 차단(cut-off)영역 : BE, BC접합 모두 역방향 바이어스가 걸려 있음.

중략..
3. 비고 및 고찰
이번 실험에서는 간단히 실제 BJT 소자를 측정 장비들을 이용해 특성들을 확인해 보는 실험이었다. 주고 그래프를 통해서 실험 결과를 확인하고 분석하면서 실제 소자가 이상적인 소자와 조금 다른 특성을 갖는 변수들을 생각해보니 얼리효과와 온도에 관한 내용밖에 떠올릴 수가 없었다. 앞으로 실험을 통해 그 변수들을 더 찾아봐야겠다.
이번 실험이 MOSFET을 주로 공부했던 차에 BJT에 대한 공부를 할 수 있는 계기가 되기도 했도, 실험에서는 처음 써보는 장비들을 다룰 수 있는 기회가 되었다. 전자회로 실험에서 조금 더 나아가 반도체를 공부하는 기분이었고, MOSFET을 주로 공부하면서 BJT에 대한 수요가 훨씬 적지만 CMOS등 때문에 여전히 사용되고 있다는 점을 알았었는데, BJT에 대한 특성에 대한 이해가 부족했다. 그리고 기본적으로 주어져 내가 이런 값들을 넣어서 시뮬레이션 해본 적이 없어서 조금 생소 했다. 그리고 그 파라미터의 의미들을 생각해 보지 않았던 터라 이에 대한 정확한 의미부터 파악할 필요가 있을 것 같다.
처음 실험에서 반도체 소자 특성 특정 장비들을 다뤄볼 수 있는 좋은 기회라는 생각을 했었는데, 생각보다는 실험하는 환경이 열악해 놀랐다. 실험의 기회를 늘리기 위해서는 장비들의 수나 환경 등을 개선해야 할 듯하다.

참고 자료

없음