ITO의 일반적인 특성
- 최초 등록일
- 2008.09.29
- 최종 저작일
- 2008.09
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소개글
ITO의 일반적인 특성
목차
ITO의 일반적인 특성
◎ITO의 구조적 특성
◎ITO 전기적 특성
◎ITO 광적인 특성
평판 디스플레이(FPD)에서의 ITO 박막의 요구특성
◎ LCD(Liquid crystal display)
◎ TFT-LCD
◎ PDP(Plasma display panel)
◎ OLED(Organic light emitting diod)
ITO박막의 문제점과 표면처리의 필요성
본문내용
◎ITO의 구조적 특성
⇒ ITO 구조 특성을 설명하기 앞서 Antiflourite구조와 Fluorite 구조를 설명하겠습니다.Antiflourite 구조는 음이온이 FCC구조를 형성하고 모든 4면체 자리에 양이온이 채워진 구조이다.
FCC구조에서 4면체 자리의 수는 원자수의 2배이므로 화학식 으로 표현하면 아래 식과같게된다
Antiflourite 화학식: A2X , 여기서 A; 양이온 X: 음이온
이러한 Antiflourite구조는 4면체 모서리는 서오 공유를 하며 이웃한 4면체 모서리에 산소 원소 2개를 공유하세 된다. 이 구조는 형성된 화합물로는 Li2O, Na2O, K2O 와같은 알칼리 금속과 산소의 결합된 상태라고 설명할 수 있다.
반면, Fluorite 구조는 Antiflourite구조에서 음이온과 양이온의 위치가 바뀐 형태로서 양이온이 FCC를 형성하고 음이온이 모두 4면체 자리응 채우게 된다. 음이온 주위에 배위된 양이온의 수는 총 4개가 되고 화학식은 아래와같다,
Fluorite 화학식: AX2 여기서, A:양이온, X:음이온,
2 성분계 화합물 중에서 양이온의 크기가 8배위를 할 수 있을 만큼 충분히 클경우에 Fluorite 구조를 형성하게 된다. 그 예로써 Ca2F 구조는 단위포의 중심과 단위포 모서리의 중심에 비어있는 커다란 8면체 구조를 가지고 있다.
Fluorite 구조에서 산소 일부가 부족한 구조 중에서 산소 4개 중 1개가 부족한 Cubic bixbyte구조와 산소 8개 중 1개가 부족한 Prychlore 구조가 있다. 여기서 Cubic bixbyte 구조와 Prychlore 구조는 산소 공공을 가지기 때문에 이온적 전도성이 높은 이유라고 말할 수 있다. 일반적으로 In2O3 와 SnO2의 화합물인 ITO는 Cubic bixbyte 구조라고 말한다. 하지만, SnO2가 10 wt%를 초과하게되면 Cubic bixbyte 구조에서 다른 구조로 변형되고 주석이 불순물 센터로 작용하여 전도성과 투명성의 향상을 저해하게 된다는 보고가 있다. 따라서 ITO는 SnO2가 10 wt%이하로 증착 실험을 하게 되는 동기가 되었다.
참고 자료
없음