SiO2 박막의 식각 및 PR 제거
- 최초 등록일
- 2008.09.19
- 최종 저작일
- 2008.05
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소개글
SiO2 박막의 식각 및 PR 제거
예비 레포트 입니다.
목차
1. 실험제목 : SiO2 박막의 식각 및 PR 제거
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
-플라즈마
-플라즈마 에슁(ashing)
-Lithography
-Lithography의 종류
-반도체 제조공정
-식각의 정의와 종류
-화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
본문내용
1. 실험제목
SiO2 박막의 식각 및 PR 제거
2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공 정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공 정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 막의 표면과 두 께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.
3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택 하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모 양을 관찰한다.
4. 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하 여 식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라
즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
참고 자료
반도체공학, 김충원 외, 도서출판 기다리, 1990
http://cafe.naver.com/photoelec.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=6
http://www.kumnong.co.kr/wwwboard-3.0.1/data/kumnote/ksh_bando.pdf
http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/plasma.asp
http://www.cnu.ac.kr/~dpkim