논리회로실험- 램(RAM) 예비보고서
- 최초 등록일
- 2008.04.30
- 최종 저작일
- 2007.11
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소개글
논리회로실험- 램(RAM) 예비보고서입니다..
만점자료입니다..
목차
1. 실험목적
2. 실험이론
1) 판독/기록 메모리 (read/write memory : RWM)
2) 정적 RAM (static RAM)
3) 동적 RAM (dynamic RAM)
본문내용
1. 실험목적
- 반도체 memory들의 기본적인 원리를 알아보고 MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 공부한다.
2. 실험이론
1) 판독/기록 메모리 (read/write memory : RWM)
- 판독/기록 메모리(read/write memory : RWM)라는 이름은 언제든지 저장하고 재생할 수 있는 메모리 배열에 붙여졌다. 요즈음 디지털 시스템에서 사용되고 있는 대부분의 RWM은 임의 접근 메모리 (random-access memory : RAM) 이며, 이것은 메모리의 한 비트를 판독하거나 기록할 때 소요되는 시간이 RAM SO RM 비트의 위치와는 무관하다는 의미를 지닌다. 이러한 관점에서 볼 때, ROM도 임의 접근 메모리지만, RAM 이라는 이름은 일반적으로 판독/기록 임의 접근 메모리에만 사용된다.
- 정적 RAM(static RAM : SRAM)에서는 하나의 워드가 어떤 위치에 기록되면, 다른 워드를 같은 위치에 저장하지 않는다면, 또한 그 칩에 전원을 공급하는 한 저장된 상태로 남는 것이다. 동적 RAM(dynamic RAM : DRAM)에서는 각 위치에 저장된 데이터는 주기적으로 그 데이터를 판독하여 그것을 다시 기록해주는 리프레시(refresh) 동작이 필요하며, 그렇지 않을 경우 그 데이터는 사라진다. 대부분의 RAM의 전원을 제거하면 데이터를 잃어버린다. 이것을 휘발성(volatile) 메모리라 한다. 전원을 제거할 때조차도 데이터를 유지하는 RAM 들도 몇 가지 있는데, 이런 것들을 비휘발성(nonvolatile)메모리라 부른다. 비휘발
참고 자료
없음