[공학]About Diode(다이오드 가산감산회로)

소개글

다이오드에 관한 개론적인 내용과 다이오드를 이용한 가산 감산회로에 대한 레포트입니다

목차

About Diode
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias)
■ 역방향 바이어스 (Backward bias)
■ 다이오드 순방향 특성 실험
■ 다이오드의 역방향 특성 실험
■ 제너 다이오드 (Zener Diode)
■ 제너 다이오드를 활용한 회로
■ 반파정류
■ 전파정류
■ 가산 증폭기 (Summing amplifier)
■ 차동 입력형 감산회로

본문내용

About Diode
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
진성 반도체 : 불순물이 전혀 들어 있지 않은 순수한 반도체
불순물 반도체 : N형 반도체 , P형 반도체

¤ 도핑(Doping) : 반도체에 불순물을 첨가하는 것 ¤

◇ N형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 5가인
불순물 인(P), 비소(As),안티몬(Sb) 등을 넣은 반도체. 이 N형 반도체에서는 전자가 다수운반자(majority carrier)이며 정공이 소수운반자(minority carrier)이다.
그리고 5가의 불순물 원소를 도우너(donor)라 하는데, 이는 전자를 준다는 의미이 다.

◇ P형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 3가인
불순물 붕소(B), 갈륨(Ga) 등을 넣은 반도체. 이 P형 반도체에서는 정공이 다수 운반자(majority carrier)이며 전자가 소수운반자(minority carrier)이다.
그리고 3가의 원소를 억셉터(acceptor)라 하는데, 이는 전자를 받아들일 수 있다 는 의미이다.

¤참고¤
N형 반도체의 N은 Negative의 약자로 (-) 부호를 의미하며, P형 반도체의 P는 Positive의 약자로 (+) 부호를 의미한다.

■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
아래와 같이 P형반도체와 N형 반도체를 서로 접합시키면 N형 반도체에서 소량의 전자가 접합면을 넘어서 P형 반도체로 확산 될 때마다 한쌍의 이온이 생긴다.
이러한 이온은 공유결합 때문에 자유전자와 정공처럼 이동할 수 없다. 따라서 접합면 근처에서 고정되어 있고 결국 이온의 생성은 전자와 정공의 결합으로 소멸되는 현상과 같아 전자와 정공이 존재하지 않는 공간이 생기며 이를 공핍층이라 부른다.

참고 자료

없음