mosfet의 특징과 종류

소개글

mosfet의 종류와 특징을 요약한 문서입니다.

목차

MOSFET 의 특성
1. 목표
2. 서론
3. MOSFET 의 각종 특성
4. MOSFET과 BJT의 차이점
5. MOSFET의 parameter 및 상세 동작원리
6. MOSFET의 종류

본문내용

1. 목표

MOSFET의 물리적인 특징을 이해하고 I-V CURVE 와 Ro를 통해서 각종 파라미터들을 추출함과 동시에 실제 아날로그 회로에서 MOSFET을 이용하여 각종 회로들을 설계하는 능력을 배양한다.

2. 서론

MOSFET 기본집적회로는 반도체 공학의 주요한 기술이 되었다. 오늘날 디지털 신호처리에서 사용되는 보다 단순한 논리회로게이트로부터 동일 실리콘 칩상의 논리회로와 메모리기능을 가진 설계에 이르는 수백 가지의 MOS-트랜지스터가 생산중이다.
MOS 장치는 퍼스널 컴퓨터를 포함한 많은 전자시스템 속에 있다. 초기에 MOS-트랜지스터는 비슷한 약어인 금속산화물반도체트랜지스터(MOST). 절연게이트전계트랜지스터(IGFET), 금속산화물반도체전계트랜지스터(MOSFET) 등으로 불리었다. 그러나 시간이 지나면서 트랜지스터 구조는 점차 MOSFET으로 알려졌다.

3. MOSFET 의 각종 특성




MOSFET(metal-oxide semiconductor field effect transistor) 또는 MOS 트랜지스터는 금 속막, 산화막, 반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다. MOS 트랜지스터의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치 되게 된다.
반도체 영역은 대부분 트랜지스터 역할을 하기 위해 표면이 단결정 실리콘으로 도핑되어 있 다. 산화막은 실리콘 산화막 형태로 구성 되는데 금속막과 절연을 하는 기능을 한다. 금속막 은 MOS 트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 지점으로 사용된다.

  MOS 트랜지스터는 gate,source,drain 3개의 터미널로 구성된다. 이것들은 각각 bipolar 트 랜지스터의 base,emitter,collector와 같다. MOS 트랜지스터의 source와 drain이 실리콘 표면에 만들어지는 반면 gate는 금속막 층에 있게 된 다.Bipolar 트랜지스터처럼 MOS 트랜지스터를 통한 전류의 흐름은 gate에 인가 되 는 전류에 따라 제어가 된다. 어쨋거나 Bipolar 틀랜지스터가 base에 인가되는 전류의 양에 따라 제어되는 것과는 다르게 MOS 트랜지스터는 gate의 전압 수위에 따라서 제어 된다.Gate 밑 부분을 채널 이라 하며 채널의 전도성은 gate에 인가되는 전압에 의해 제어 된다.

참고 자료

없음