RL,RC 회로

소개글

예비 보고서입니다.

목차

● Capacitance ●
● Inductance ●
● R-C 직렬회로 ●
● R-C 병렬회로 ●
● R-L 직렬회로 ●
● R-L 병렬회로 ●
● RC회로의 예 ●
● RL회로의 예 ●

본문내용

● Capacitance ●

<그림 1>과 같이 직류 전압원에 도선 및 저항을 이용하여 두 도체판을 마주보게 설치한 회로에서 직류 전압원에 의해 음전하를 가진 전자는 양극으로 모여들고 도체판 사이에는 부도체로 채워져 있으므로 전자가 통과하지 못하여 상단(양극)의 도체판은 음전하가 빠져나가 전체적으로 양전하만 남게 되고, 하단(음극)의 도체판은 전자가 모여들어 음극을 띠게 된다. 이 때 도체판 사이의 전압이 직류 전압원의 전압 V에 다다르면 양측이 전위차가 같게 되어 키르히호프의 전압법칙에 의해 더 이상 전류가 흐르지 않는다. 여기서 도체판의 면적이 크다면 더 많은 전하를 수용할 수 있을 것이고, 두 판의 거리가 가까울수록 전계의 강도는 더 커질 것이다. 이러한 소자를 캐패시터(capacitor)라 하며, 그 크기를 커패시턴스(capacitance)라 한다. 평행 평판 캐패시터에 전압 v를 인가하면(전하량을 가변량으로 간주하여 전압원을 가변량 v로 나타냈음), 전극 양면에 +, - 전하가 축적되며, 이 때 축적 전하량 q는 축적 전하와 전위차가 비례하는 범위에서

q=Cv [Coulomb, C] <식 1>

로 쓸 수 있다. 여기서 C가 캐패시턴스이며 단위는 F[Farad]을 쓴다. 그리고 여기서 전류 i는

참고 자료

없음