NAND GATE

소개글

디지털 실험에서 논리 소자 NAND, NOR, X-OR Gate를 이해하고 이론으로 배운 값을 실험을 통해 확인하고 이를 이용한 논리도를 확인한 보고서를 작성하였습니다 도움되시길....

목차

실험 목적
실험 방법
결과 및 검토

본문내용

실험 목적
논리 소자 NAND, NOR, X-OR Gate를 이해하고 이론으로 배운 값을 실험을 통해 확인하고 이를 이용한 논리도를 확인

실험 방법
1. 아래 논리도와 같이 회로를 구성
2. 전압 5V를 넣는다.
3. 이론으로 진리표를 만든다.
4. 출력 값의 전압을 측정하고 진리표와 비교한다.

실험 1>

<그림 1>. NAND Gate 논리도
010111100104.4594.45614.4550.132
<표 1> NAND Gate 진리표 <표 2> NAND Gate 실험값

-> 이번 실험은 NAND Gate의 논리도를 구성하여 이론값과 실험값을 비교하는 것이었다. 이 소자는 AND Gate와는 반대로 출력 값이 나오기 때문에 이론값을 구하기는 쉬웠다. 그리고 실험값도 거의 오차 없이 측정되었다.

실험 2>

<그림 2>NOR Gate 논리도
010101000104.4410.17710.1770.162
<표 3> NOR Gate 진리표 <표 4> NOR Gate 실험값

결과 및 검토
2학년 2학기 때 배운 디지털에 관해서 실험을 하였다. 이론으로 배운 것을 직접 실험함으로써 디지털을 확실히 정리하는 계기가 되었고 내가 구성한 회로에서 측정한 실험값이 이론값과 같다는 것이 신기했다. 여기서 우리가 사용한 전압은 5V였고 진리표에서 이론값이 0이면 실험값은 0에 근사한 값을 측정하였고 1이면 5V에 가까운 값을 측정 할 수가 있었다. 같은 회로에서 측정한 값에서 조금의 차이가 있는 것을 확인 할 수가 있었는데 이것은 회로 내부의 저항과 외부적이 요건에 의해 똑같은 값을 측정하기 못한 것 같다.

참고 자료

없음