트랜지스터_바이어스 및 소신호증폭기_스위칭

소개글

트랜지스터(TR)에 관한 전반적인 내용입니다.
전자의 이동부터 종류별 바이어스와 증폭률에 의한 해석
DC AC 로드라인과 Q점에 의한해석
이미터플라워 CE증폭기
트랜지스터 스위치 작용 등등

목차

1-1 BJT의 구조
1-2 트랜지스터의 동작
1-2-1 4단자 회로망
1-2-1-1 CB증폭기
1-2-1-2 CE증폭기
1-2-2 트랜지스터 회로 해석
1-2-3 BJT 트랜지스터의 특성곡선
1-2-3-1 베이스 - 이미터 특성곡선
1-2-3-2 콜렉터 특성곡선
1-2-3-3 컷오프, 포화, DC부하 선로 및 Q점
1-2-4 BJT 바이어스
1-2-4-1 베이스 바이어스
1-2-4-2 이미터 귀환 바이어스
1-3 소신호 증폭기
1-3-1 AC 등가회로
1-3-2 공통 이미터 증폭기
1-3-3 공통 컬렉터 증폭기 (이미터플라워, 완충증폭기)
1-4 트랜지스터의 스위칭 회로

본문내용

Transistor의 어원
: trans(옮기다) + resistor = 저항이 변하는 소자

- PNP : P형반도체가 E와 C, N형반도체가 B이며, 다수캐리어는 정공이다.
- NPN : N형반도체가 E와 C, P형반도체가 B이며, 다수캐리어는 전자이다.
- 정공의 이동은 구속전자의 이동이다. 그러므로 외부에서 전압을 가했을때 구속전자의 이동(정공의 이동) 보다는 전자의 이동이 빠르다. 즉 PNP보다 NPN TR이 동작속도가 빠르다.

(a) 이미터 - 베이스 접합에 순방향을 걸어준 상태
: 순방향 전압에 의해 공핍층이 얇아진다.
이미터 쪽의 전자가 베이스 쪽으로 확산, 전류가 흐른다.
(b) 콜렉터 - 베이스 접합에 역방향 전압을 걸어준 상태
: 역방향 전압에 의해 공핍층이 두터워진다.
전자의 확산은 없다. 전류는 흐르지 않는다.

(a) + (b)
: VEB와 VCE는 모두 공핍층에 걸린다. (공핍층이 중성영역보다 저항이 크기때문)
이미터 전자들은 VEB에 의해 열평형이 깨지고 베이스 쪽으로 확산된다. 그러나 베이스 쪽에서 재결합되는 전자의 수효는 극히 적다. 그 이유로는
① 베이스 중성영역의 불순물 농도가 낮기 때문
② 베이스 중성역역의 폭이 좁아 머무르는 시간이 적다.
대부분의 전자는 콜렉터와 베이스 접합의 공핍층의 강한 전계에 의해 콜렉토로 들어간다.

참고 자료

없음