MOSFET 취급 유의점

소개글

MOSFET 취급 유의점 관한 조사입니다.

목차

1. 애벌란시 파괴(과전압) 모드

2. ASO(Area of Safe Operation) 파괴
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3. 내장 다이오드 파괴

4. 기생발진에 의한 파괴

5. 정전파괴(게이트 서지 등에 의한 과전압)

본문내용

1. 애벌란시 파괴(과전압) 모드
소자의 최대정격 VDSS를 초과하는 서지 전압이 드레인-소 스 사이에 인가되고 다시 항복전압 V(BR) DSS 영역까지 도달하 여 어떤 일정한 에너지(온도, 전류, dv/dt) 이상의 조건에 도 달함으로써 파괴되는 현상이다.
2. ASO(Area of Safe Operation) 파괴
소자의 최대정격인 드레인 전류 Id, 드레인-소스간 전압 VDSS, 허용 채널 손실 Pch를 초과하여 과전류, 과전압 그리고 과전력에 의해 안전동작 영역을 오버하고 열적인 요인으로 파 괴되는 현상을 말한다. 발열의 요인이 되는 특성이나 동작으로 는 다음과 같이 연속적인 것과 과도적인 것으로 나눌 수 있다.
(1) 연속적인 것
① 활성영역(아날로그 동작)에서의 직류전력 또는 어떤 일 정한 듀티에서 연속된 펄스 전력의 인가에 의한 발열
② ON 저항 RDS(on)에 의한 손실(특히 온도상승에 의해 그 손실이 허용방열 전력용량을 초과했을 경우)
③ 드레인-소스간의 리크 전류 IDSS에 의한 손실(특히 자립 방열 핀이 없는 실장조건에서 고온동작으로 사용하는 경우. 단, 일반적으로 다른 손실에 비해 매우 작다)
(2) 과도적인 것
① 펄스적인 과전력(원숏 펄스 ASO 파괴)
→ 온도의존성 있음
② 부하단락에 의한 과전력(부하단락 ASO 파괴)
→ 온도의존성 있음
③ 스위칭 손실(턴 ON, 턴 OFF 시)
→ 동작주파수에 의존
④ 내장 다이오드의 역 회복시간 trr에 의한 손실
→ 온도와 동작주파수에 의존(풀 브리지, 3상 브리지 회 로에서 상/하 소자의 암 단락손실)

참고 자료

없음