고주파 증폭 회로

소개글

고주파 증폭 회로

목차

■ 제 목
■ 목 적
■ 이 론
■ 시뮬레이션
■ 참고자료

본문내용

■ 제 목
고주파 증폭 회로

■ 목 적
저주파 실험에서 고찰했듯이 결합 캐패시터와 바이패스 커패시터가 증폭도를 저하시키는 커다란 요인이 되었다. 그러나 고주파에서 이들은 아무런 영향도 끼치지 않고 단지 단락된 회로의 역할을 한다. 본 실험에서는 이러한 특성을 고찰하고 이해하고자 한다.

■ 이 론
저주파 응답이 외부소자에 의한 영향이라면 고주파 효과는 주로 트랜지스터 내부 커패시턴스의 영향으로 발생한다. 높은 주파수 대역에서 트랜지스터를 해석하기 위해서는 트랜지스터 내부의 영향을 상세히 등가적으로 표시한 그림 1의 하이브리드-π 등가 회로를 이용하는 것이 매우 편리하다.
Rbb : 베이스 분포 저항
Ce : 이미터 베이스간 접합 커패시턴스
Cc : 컬렉터 베이스간의 커 패시턴스
gm : 전달 컨덕턴스

참고 자료

- 기초전자회로 실험(이성규)
- 디지털 전자회로 (한규희)
- 전자회로실험(최성운 박주태 김승묵)
- 전자회로(김동식)