[공학]LCD제작 공정 , 저가격을 위한 방안

소개글

LCD제작 방법과 저가격 을 위한 방한을 정리했습니다. 그림을 직접 파워포인트로 그렸습니다.

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본문내용

TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용한다는 점에서 반도체와 다르며, 반도체 공정은 1,000℃ 정도의 공정온도를 갖는 반면 TFT 공정은 유리기판을 사용하기 때문에 300 ~ 500℃의 공정온도를 유지해야 하므로 오히려 반도체보다 까다로운 기술이다.


patterning은 그 하나만으로도 정밀하고 복잡한 공정이다. TFT-LCD 패널을 만들기 위해서 적어도 이 공정을 여러번 거치게 된다. 물론 그때 그때 동일한 증착 재료와 공법을 사용하는 것은 아니지만 개략적인 공정은 비슷하다

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
반도체나 절연막의 deposition

진공을 이루는 Chamber 내부에 증착에 필요한 gas를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 RF(Radio Frequency) power를 이용하여 주입된 gas를 Plasma 상태로 분해하여 기판위에 증착하는 공정이다. 증착에 필요한 조건은 진공상태, RF power, 기판온도, 반응 gas, 반응 압력 등이다. 증착되는 물질은 절연막과 반도체막으로 나눠지며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.

Sputtering 공정 (증착공정) - 금속재료의 deposition

Sputtering은 RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하고자 하는 target 입자들이 튀어나와 기판에 증착되는 공정이다. 일반적으로 음극표면에 증착시킬 target 물질을 장착하고, 증착물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, Ar과 같은 불활성 기체를 이용하여 양극에 놓여진 기판 위에 튀어나온 target 물질이 증착되는 것을 말한다.

참고 자료

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