lithography

소개글

나노 재료 물리화학 리소그라피 공정에 관한 글입니다.

목차

< lithography >
1. 목적
2. 종류
3. 공정순서
4. 감광제

< photolithography >
1. 목적
2. lithography roadmap
3. 포토리소그라피 공정
4. 리소그라피 기본 원리

본문내용

<Litography 란?>
-물질의 표면 특성을 원자단위까지 측정할 수 있는 새로운 개념의 원자현미경을 이용해
컴퓨터의 마우스를 클릭하는 방식으로 탐침을 원하는 부위로 이동시키고 여기에 전압을
가해 산화막을 형성하는 기술.

1.목적:
마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정

2.종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각

①광사진식각:광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼표면에 형성하는 것
②E-beam사진식각: 전자가 갖는 파장을 이용하므로 미세패턴을 얻을수 있다.
(단점: 소요시간이 길고 장비가 비싸다. )
③X-선사진식각: X-선을 이용하는 것으로 마스크 제작이 어렵다.

3.공정순서: 표면처리->PR코팅->소프트베이크->정렬,노출->현상->하드베이크->식각->PR
제거

4.감광제
<감광제의 구성>
① 용제: 감광막을 용해시킬 때 쓰이는용액
② 다중체: 감광막의 핵심으로 원자들의 반복적인 구조를 가진 분자들의 집합체
③ 감응제: 에너지를 다중체에 주어 이중결합을 깨뜨리게 하며, 빛에 노출하는 시간을
감소시킴과 동시에 노출정도를 고르게 하는 역할

→용제는 감광막을 용해 시킬 때 쓰이는 용액이고 다중체와 감응제는
저장과 운반을 쉽게하고 보관 중의 빛에 의한 반응을 막기 위해 용제
에 용해되어 있다.

④양성 및 음성 감광제의 비교

1)산화막 표면과의 접착도
음성 감광막은 양성 감광막보다 접착도가 좋다.
(감광제를 스핀하기 전에 표면 처리하면 좋은 접착도를 얻을수 있다.)

2)분해능
양성 감광막이 훨신 더 좋은 분해능을 가져 1㎛ 선폭을 쉽게 구현할 수 있다.
음성 감광막은 2㎛이하의 선폭 구현이 어렵고, 특별한 기판 조건하에서만 1㎛ 선폭의
구현이 가능하다.

참고 자료

없음