[공학]SRAM
- 최초 등록일
- 2006.11.29
- 최종 저작일
- 2006.01
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소개글
SRAM에 관한 내용입니다...
목차
1.SRAM이란?
1)정의
2)SRAM과 DRAM의 비교
3)장/ 단점
4)SRAM의 종류
2.SRAM의 기능별 특성
1)고속 SRAM
2)대용량/저소비 전력 SRAM
3)전용 SRAM
4)의사 SRAM
3.SRAM의 개발 및 요구 대응 기술
4.디지털 회로 설명
본문내용
플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치로서, 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하며, 동작 속도가 느리기는 하지만 복잡한 재생 클록(refresh clock)이 필요 없기 때문에 소용량의 메모리나 캐시메모리(cache memory)에 주로 사용한다. 정적 램은 동적 램에 비하여 가격이 비싼 편이다.
정적 RAM의 구조는 MOS FET 4∼6개로 된 플립플롭 메모리 셀로 구성되어 있으며, 그 동작 원리는 보통의 플립플롭과 동일하다. 1비트당 소비전력은 동적 RAM에 비하여 낮다.
SRAM의 장 / 단점
장점 : 플립플롭의 특성 때문에 기억 장소를 주기적으로 재충전하는 작업이 필요없고 기억 장소를 접근하는 속도가 빠르다는 점이다. SRAM이 트랜지스터의 집합으로 만들어져 있기 때에 리프레시가 필용없다. 1개의 래치회로는 4개나 8개의 트랜지스터로 구성이 되기 때문에 DRAM보다는 크기가 크지만, 래치회로는 전원이 끊어지지 않는 한 입력된 신호가 지속되어 기술적으로 동작속도를 높일 수 있다. 이러한 특성으로 인하여 일반적으로 DRAM은 컴퓨터의 주기억 장치로 널리 사용되고, SRAM은 캐시 기억 장치로 널리 사용된다. 또한 DRAM보다 다소 더 빠르다.
단점 : 플립플롭을 사용하므로 캐패시터를 사용하는 것보다 어렵기 때문에 DRAM에 비하여 가격이 비싸고 전력 소모가 크며 대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM과 비교할 때 동일하게 주어진 공간이라면 그 가운데 단지 1/4만 저장공간으로 쓸 수 있다)는 단점을 가지고 있다.
SRAM의 등장
1970년도 1KDRAM 등장 후 같은 시기에
256바이트로 시작
DRAM과 같이 약 3년간에 4배의 대용량
90년대 이후 256KB, 1M, 4M로 발전
1999년 휴대전화 시장을 목표로 하는 하이닉스반도체에서 초소형 Package(CSP)를 채택하여 1.8V-3V 제품군에 대한 1M, 2M, 4M, 8M SRAM 개발을 완료함.
SRAM의 종류
트랜지스터에 따른 분류
양극 SRAM (bipolar SRAM, 현재는 거의 사용되지 않는다. 전력을 많이 소모하지만 매우 빠르다.)
CMOS SRAM (가장 흔한 종류)
기능에 따른 분류
비동기 SRAM (클록 주파수에 독립적으로 작동한다)
동기식 SRAM (데이터 입출력이 클록 주파수에 따라 이루어진다)
참고 자료
없음