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[공학]반도체 집적소자 제조 단위공정 실험

*재*
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최초 등록일
2006.11.07
최종 저작일
2004.04
26페이지/한글파일 한컴오피스
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소개글

반도체 집적소자 제조공정에 대한 실험 보고서입니다. 각 공정의 기본적인 개념을 자세하게 기술해 놓았고, 실험과정 및 유의사항, 실험에서의 각종 변수, 그리고 가장 중요한 제조공정 과정에 대한 실험과정을 아주 자세하게 기술해 놓았습니다. 또 각 실험과정중 중요한 장면을 사진과 함께 담아 놓았고, 마지막 데이터 분석을 위해서는 많은 자료를 압축해서 필요한 내용만 추스려 간단하게 표에 담아 놓았습니다. 반도체 제조공정을 공부하고 계신 공학도나, 제조공정 과정을 실험중인 학생들에게 굉장히 많은 도움을 줄 수 있으리라 생각합니다.

목차

1. 실험제목
-반도체 집적소자 제조 단위공정 실험

2. 실험목적
3. 실험의 원리 및 개념이해
단위공정1-세정공정(Cleaning process)
단위공정2-금속박막공정(Thin film Process)
단위공정3-금속산화막 공정(Dry Oxidation process)
단위공정4-사진공정(Photolithography)
단위공정5-식각공정(Etching Process)
4. 실험방법 및 실험시 주의사항
5. 실험 결과
(1)증착공정 변수 기록표
(2)사진공정 변수 기록표
(3)식각공정 변수 기록표
6. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험제목
-반도체 집적소자 제조 단위공정 실험

2. 실험목적
-반도체 전자소자 집적회로 공정공학(process engineering)개념이해를 위한 기본 단위공정(unitprocess)을 실험/실습하여 익히고, Macro-patterning 을 해봄으로써 Micro-Patterning의 힘든 점과 중요성을 알 수 있다.

3. 실험의 원리 및 개념이해

●단위공정1-세정공정(Cleaning process)
-금속막(Cu, Al etc.)증착을 위한 Soda-Lime glass기판(Substrate)의 세정. 기판표면의 오염을 최소화(Minimize)시켜서 박막의 접착력을 좋게 하기 위한 과정이다. 즉, 금속막과 Substrate의 접착성이 우수하려면, 세정공정이 잘되어야 한다. 똑같은 재료를 가지고 똑같은 방법으로 세정을 하여도, 어떤 것이 가장 우수한 방법이라는 정해진 정도가 없으므로 그 세정결과는 모두 다를 것이다. 세정결과에 따라 각 실험 공정에 모두 영향을 미치므로 세정공정에 각별한 주의와 실험 전 충분한 이론숙지가 요구된다.
세정수준은 기술적 세정과 원자단위의 세정수준이 있지만, 원자단위 세정은 전문적인 기술이 필요하므로 대부분의 세정이 기술적 세정을 말한다. 앞으로 하게 될 실험 또한 기술적 세정으로 진행할 것이다.

참고 자료

http://www.ofthinfilm.com
http://altair.chonnam.ac.kr/%7Emetal/icl/equipment.html
http://www.google.co.kr
http://www.semipark.co.kr/upload3/wafercleaning.PDF
http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=11&dir_id=110209&docid=442400
http://pvdworld.net
http://rch3833.com.ne.kr/semcon2.html
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