LTPS

소개글

LTPS의 공정

목차

■ 개 념
■ 원 리
■ 장 비
■ 공 정
■ 응용분야
■ 개발방향

본문내용

다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly-Si Thin Film Transistors)는 능동 영역 액정 표시 소자(Active Matrix Liquid Crystal Displays : AMLCD)에서의 구동소자나 (Active Matrix Organic Light Emitting Diod)에서의 구동소자나 SRAM(static random access memory) load소자 등으로 폭넓은 응용성을 갖고 있다. AMLCD의 경우에 현재 일반적으로 비정질 실리콘(a-Si) 으로 제작된 화소 배열(pixel array)과 단결정 실리콘(single crystal Si)으로 제작된 구동 집적회로(LSI)를 TAB(Tape Automated Bonding) 등의 방법으로 연결하여 구동하고 있다. 그러나 비정질 실리콘의 경우 carrier인 전자의 이동도 및 개구율(aperture ratio)이 낮고, CMOS 공정에 부합되지 못한다는 단점을 갖고 있다.
poly-Si TFT의 경우는 a-Si TFT에 비해 높은 전자 이동도를 실현할 수 있으므로
화소 배열(pixel array)과 구동회로를 동일 기판상에 모두 poly-Si TFT로 제작함으로써 화소와 구동회로가 함께 집적된 액정 디스플레이(LCD)를 구현할 수 있다. 이러한 집적화에 의해 종래 필요하였던 driver IC와 pixel array를 연결하는 추가 공정이 불필요하여
생산성 및 신뢰성이 크게 향상될 수 있으며, 또한 poly-Si TFT의 우수한 특성으로 더 작고 뛰어난 성능의 TFT가 가능하며, gate나 metal line의 선폭 또한 줄일 수 있어 화소의 개구율(aperture ratio)이 a-Si TFT에 비해 상대적으로 높다.
그러나 이러한 장점에도 불구하고 비싼 석영기판을 써야한다는 단점으로 인해 저온에서 결정화 할 수 있는 방법의 개발이 활발히 진행되고 있고 또 개발되어왔다
이런 개발에 의해 유리기판을 쓰는 LTPS TFT(Low Temperature Poly Silicon)가 나오게 되었다. 여기에 쓰이는 LTPS에 대해 알아보자.

참고 자료

없음