[반도체 공정]Dry etching

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최초 등록일: 2006.05.03
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반도체 공정 중 건식식각에 대한 레포트 자료 입니다.
저가 배운것을 바탕으로 기록하였습니다.

본문내용

Introduction to Etch Process
Obective: pattern transfer
반응원리:
Physical etch – ion accelerated by E field
Anisotropic etch(비등방성 식각)
Selectivity(선택비)낮음
Lattice damage 심함
Chemical etch – diffused neutral (radical)
Isotropic etch (등방성 식각)
Selectivity(선택비) 높음
Lattice damage 경미
반응매개체
Dry etch-plasma (physical + chemical = mainly chemical
Wet etch-chemical solution
건식 식각의 개요
플라즈마를 이용하면 반응 챔버 내부에 다량의 중성 라디칼과 이온을 만들어낼 수 있다. 이때 중성 라디
칼은 화학적 식각을 일으키게 되고 이온은 self bias (이온과 전자의 이동도 차이에 의해 발생하는 플라즈
마의 독특한 성질)에 의해 가속되어 이온 충격에 기여
하게 된다. 이러한 이온 충격은 중성 라디칼에 의한 화학적 식각 반응에 활성화 에너지를 공급하여 특정
방향에 우세하게 식각을 일으키고 식각의 비등방성
도에 기여하는데 이는 습식식각에 비하여 선택비를 (selectivity) 떨어뜨리는 요인이 된다.
건식 식각 시 고려 사항
Etch Rate
Selectivity
Contamination
Uniformity
Lattice Damage
Plasma Source (1)
DC discharge
전계에 의한 전자 가속. 기체 입자와의 충돌에 의한 이온화
100mTorr ~ 수 Torr의 진공도
도체에 한하여만 사용할 수 있다.
전극이 plasma에 노출되므로 전극 물질이 스퍼터링, 식각 등에 의해 오염될 확률이 높다.

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