[전자재료, 반도체, 반도체공정]pvd와 cvd의 조사

소개글

pvd와 cvd의 장점 단점등을 조사한 리포트 입니다.

목차

1. CVD란?
2. PVD란?

본문내용

1. CVD란?
CVD기술의 원리는 “형성시키려고 하는 박막재료를 구성하는 원소로 된 1종 또는 그 이상의 화합물, 단체의 가스를 기판위에 공급해 기상 또는 기판 표면에서의 열분해, 광분해. 산화환원, 치환 등의 화학반응에 의해서 소망하는 박막을 형성시키는 방법”이라고 할 수 있다. PVD기술이 진공 증발기술이나 스퍼터링 등의 고진공 중에서의 물리적 현상에 기초하는 박막형성법인데 비해, CVD법은 화학반응의 응용인 것에 특징이 있다. CVD기술에 의한 박막형성의 특징으로는, 원료가스의 유량을 제어함으로써 막두께를 또한, 원료선택의 다양성에 의해 조성을 제어할 수 있고, 기재형태에 상관없이 균일한 재료를 제작할 수 있으며, 양산성이 좋고, 저온에서 고순도와 결함이 없는 결정질 막 뿐 아니라 비정질 막의 형성이 가능하다. 또한 광범위한 화학 양론적 조성을 쉽게 조절할 수 있는 장점을 갖고 있다. 그 밖에도 조성의 제어와 신물질의 합성이 가능하다는 것 등의 장점을 들 수 있다. 현재는 대부분의 물질의 박막을 CVD 기술로 형성할 수 있다고 해도 무방하다.
1>Thermal CVD : 열에너지에 의해 적당한 온도로 가열된 기판 표면 혹은 기상중에서 원료 가스를 열분해하고 분해 생성물이나 화학반응에의해서 박막을 형성하는 것을 열 CVD기술이라고 한다. 열 CVD 기술의 특징은 다음과 같다.
① 고온에서 막생성은 치밀하고 순도가 높고 극히 양질의 막이 제작된다. 또 박막은 기재와 매우 강한 부착 강도로 얻을 수 있다.
② 금속에서 비금속까지 매우 다양한 종류의 기재의 박막을 제작할 수 있다.
③ 사전에 정해진 다성분 합금 박막을 제작할 수 있다.
④ 고전압이나 초고온을 요하지 않는다.
⑤ 고진공을 필요로 하지 않기 때문에 장치가 간단하고, 양산성이 뛰어나다.
⑥ 플라스틱 기재상에 박막을 형성하는 경우와 같이 저온을 필요로 하는 경우에는 사용할 수 없다.

참고 자료

1.기술동향조사보고서 외 2권