[전자공학]PN접합 정전기학

소개글

반도체 소자공학의 PN접합 정전기학에 대한 Seminar자료 입니다.

목차

1. PN junction in equilibrium
-. Forward & Reverse bias
-. Status after PN junction
2. Idealized profiles of junction
3. Poisson equation
4. Built in potential(Vbi)
5. Depletion approximation
6. Step junction
7. Linearly graded junction

본문내용

Status After PN junction

접합부근에서 전자와 전공이 이동하여 Recombination발생.
-.Carrier가 없어지고, (+),(-)이온에 의해 전위 장벽(=Contact Potential)이 발생.
-.PN접합에서 발생하는 전압 (Ge :약 0.3~0.4V , Si: 약 0.6~0.7V)
* 공간 전하 영역(Space Charge Layer) – Carrier가 없는 영역.

Idealized profiles of junction
Junction definition
: P형 Dopant를 균일하게 도핑된 N형
웨이퍼에 확산시켜 pn접합이 형성.
Idealized doping profiles(이상화된 도핑분포)
-. Step junction(계단형접합)근사의 경우
: Ion주입이나 조금 Doping된 초기웨이퍼로의 얕은 확산에 만족스럽게 근사화 됨.(도핑은 급격하게 감소)
-. Linearly graded junction근사의 경우
(선형적 경사형 접합)
: 많이 Doping된 초기웨이퍼의 깊은 확산에 적합.(도핑은 완만하게 감소)

참고 자료

반도체 소자공학,VLSI공학