[물리실험]반도체 정류회로
- 최초 등록일
- 2005.12.03
- 최종 저작일
- 2005.10
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소개글
‥ 반도체 정류회로 ‥
・실험 목적 : p-n 접합형 반도체다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 정류회로의 제작을 통하여 정류회로를 이해하고 특성을 관찰한다.
목차
1.실험목적
2.실험원리
3.실험방법
4.실험기구
5.출처
6.응용
본문내용
‥ 반도체 정류회로 ‥
・실험 목적 : p-n 접합형 반도체다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 정류회로의 제작을 통하여 정류회로를 이해하고 특성을 관찰한다.
・실험 원리 : * 반파 정류회로 (half-wave rectifier circuit)
반파정류회로는 그림 1과 같이 다이오드와 저항을 직렬 연결한 회로에 교류전원 를 걸어준 회로이다. 이 회로에 흐르는 전류를 i라 하고, 다이오드 양단의 전압을 vD라 하고, Kirchhoff의 loop 법칙을 적용하면,
하나의 vS의 값에 대해, 구하고자 하는 전류 i는 식 (2)와 다이오드의 특성곡선을 연립하여 그래프로 풀 수 있다. 즉 그림 2와 같이 식 (2)와 다이오드의 특성곡선을 그래프로 그렸을 때 교점이 전류 i와 그 때 다이오드 양단의 전압 vD를 주게 된다. 이제 vS의 값이 시간에 따라 변하게 되면 식 (2)가 나타내는 직선(load line)이 평행 이동하게 되고, 교점의 위치도 달라지게된다. 그림 2에 의하면, vS < 0 일 때 교점의 전류값은 거의 0이 되고, vS > 0 이면 교점의 전류값은 vS가 커짐에 따라 커져 대략 vS와 비슷한 모양이 되는 것을 알 수 있다.
참고 자료
일반 물리학 실험 / (주)북스힐 / 김역식와 13명
http://photon.kyunghee.ac.kr/ 경희 대학교 물리학과