[물리실험]예비리포트-반도체 다이오드

저작시기 1997.01 |등록일 2005.11.29 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 500원
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물리 실험. 반도체 다이오드에 대한 예비 레포트 입니다.

목차

1. 목 적
2. 원 리
3. 기구 및 장치
4. 실험 방법
5. 측정값
6. 실험값 계산
7. 결과 및 토의

본문내용

2.원 리
Ge과 Si은 IV족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정상태에 있다. 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge나 Si의 결정은 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 불순불이 들어가면 일반적으로 저항이 감소한다. 특히 P나 기타 V족 원소의 미량을 순수한 Ge의 용융상태에 첨가시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 P원자가 산재하게 된다. 정상적인 P의 원자는 5개의 원자가 전자를 가지고 있으며, 이중 4개만 결정 구성에 쓰여 고 1개의 여분의 전자가 남게 되어 결정에 전위를 걸어주면 비교적 자유로이 이동하게 된다. 그리하여 그 결정은 도체가 되며 첨가된 불순물은 전기저항을 상당히 감소시키는 역할을 하고 있다. 결정 내의 P원자는 각각 1개의 전자를 잃어 양이온이 된다. 이들 P원자는 결정에 얽매어 있기 때문에 전류로서 나타내지 못한다. 이와 같이 V족의 불순물이 첨가된 반도체를 n형 반도체라 하며 이러한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다.
이와 반면에 Ga과 같은 III족 원소를 첨가하여 만들어진 결정은 전기적으로 아주 다른 특성을 갖게 될 것이다. IV족 원소는 3개의 원자가 전자를 소유하고 있기 때문에 결정 내에 속박된 Ga원자는 이웃 4개의 Ge의 원자 중 3개만 결합하고 1개의 결합수는 비어 있게 되어 결정격자에 hole이라는 것을 형성한다. 이와 같은 반도체를 p형 반도체라 한다.
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