[정보통신, 통신기기]반도체 메모리 장치
- 최초 등록일
- 2004.12.12
- 최종 저작일
- 2004.12
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소개글
반도체 메모리 장치의 개요 및 종류에 관한 레포트
입니다.
목차
■ 메모리 장치의 개요
■ 반도체 메모리(RAM과 ROM)의 비교
■ 반도체 메모리의 종류
▲ RAM (Random Access Memory) :임의접근기억장치
○ SRAM(Static RAM):정적 램
○ DRAM(Dynamic Random Access Memory):동적램
▲ ROM (Read Only Memory)[읽기 전용 기억 장치]
○ PROM(User Programmable ROM) :
프로그램 가능한 롬
○ EPROM(Erasable PROM)
○ EEPROM
(Electrically Erasable and programmable ROM)
전기 소거식 프로그래머블 롬
○ Flash Memory
■ 참고문헌 / 사이트
본문내용
■ 메모리 장치의 개요
디지털 시스템이 아날로그 시스템에 비하여 가장
중요한 특성중의 하나는 단기또는장기간 테이터
를 저장할 수 있는 능력이다.
이러한 디지털 저장장치의 사용으로 정보혁명
(information revolution)이 시작되었다.
현재 널리 사용되는 고속 반도체의 컴퓨터 내부
메모리와 대용량의 보조메모리구조를 갖춘, 전형적
인 마이크로컴퓨터 시스템 구조이다.
CPU(Central Processing Unit)는 명령과 데이터
를 처리하기 위한 산술, 논리, 그리고 제어 장치
로 되어있으며, 컴퓨터 중앙부분에서 여러 가지
데이터를 처리하는작업을 수행하기 때문에데이터
버스를 통해 데이터 전송이 가장 많이 이루어지
는 장소이고, 어드레스 버스(address bus),
제어버스(control bus)를통하여 신호를 전달한다.
컴퓨터 내부 메모리는 고속 반도체 기억장치
계층 영역에 속하며 여기에는 RAM, ROM, 비휘
발성 RAM(NVRAM)이 있고, ROM의 종류에는 PROM과
EPROM등이 있다.
■ 반도체 메모리(RAM과 ROM)의 비교
주 기억장치(main memory)는 컴퓨터가 동작하는
동안 데이타와 프로그램을 저장하고 있는 비교
적 크고 빠른 속도의 메모리이며, 반도체 집적
회로 기술을 바탕으로 한다.
RAM은 두 가지 종류가 있는데, 정적(static)RAM
은 하나의 이진 정보를 저장할 수 있는 플립플롭
들로 구성되어 있어서 전원이 연결되어 있는
동안 저장되어 있는 정보를 유지 한다.
동적(dynamic)RAM은 MOS트랜지스터 안의 콘덴서
에 전하(electric charge)의 형태로정보를 저장
하며, 이 전하는 시간에 따라 방전하는 성질이
있기 때문에 주기적으로 재충전해 주어야 정보가
유지된다.
참고 자료
- 디지털 시스템 (Digital Electronics) / 조성환 외
공역 / 사이텍미디어
- http://www.terms.co.kr,
- http://www.ksia.or.kr/korean
- http://www.computer.co.kr/dictionary,
- http://www.etimesi.com/db/word
- http://www.alltronics.com,
- http://sensor.northgrum.com