[논리회로, 회로이론] 게이트 특성 실험
- 최초 등록일
- 2004.12.02
- 최종 저작일
- 2004.11
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목차
1. 목적
2.이론
A. <TTL과 CMOS비교분석>
3. 실험 방법
1) 입력전압의 변화에 따른 출력 전압의 변화
2) 게이트의 파괴점 측정
3) Vcc와 Vo의 관계측정
4) Vcc, Vi, Vo 의 관계측정
5) Floating input
4. 실험 결과
5. 고찰
본문내용
- 74LS00 IC 칩의 내부형태는 그림 1에서 보는 것과 같이 NAND Gate 4개로 이루어져 있으며 Function Table은 표 1에서 보는 것과 같은 상태를 보여주고 있다.
- 74LS00 IC 칩을 정상적으로 동작시키기 위해서는 VCC와 GND에 4.75V~5.25V 사이의 전압을 인가 시켜야 되고 High 상태가 되는 최소 전압은 2V이며 Low가 되는 최대 전압은0.8V 이다.
자세한 칩의 설명은 별지로 첨부 하였다.
- 본 실험에서는 74LS00 IC 칩의 입력 값(IA,IB)을 0V~5V까지 단계적으로 변환시켜 Gate의 정상동작 Voltage를 알아보고자 한다.
참고 자료
없음