[반도체 공정, 반도체 기본, 반도체, CVD, P] 반도체 예비레포트

목차

1. 반도체 공정에서의 산화(Oxidation)
2. CVD와 PVD
3. Photolithography 공정-Negative Photoresist 와 Positive Photoresist
4. TFT 구조

본문내용

1.1 산화공정
실리콘 산화막은 반도체 표면을 보호하고 유전체로 사용되며, 사진 식각공정을 통해 선택확산을 할 때 마스크 역할을 한다. 산화막의 두 가지 중요한 특성은 두께와 막의 성질이다. 이중 막의 성질은 산화막의 형성 방법에 따라 결정된다.
1.1.1 산화막의 형성공정
① 200℃이하 공정
․양극산화 : 액체 전해액을 이용하여 실리콘 시료가 전해액속의 양극에서 산화됨. 전해액 : 에틸렌글리콜 + KNO3
․진공증착 : 증착은 산소 부분압 속에서 SiO2를 재료로 행해진다. 부착력이 강한 막을 얻기 위해서는 기판을 가열한다.
․스퍼터링 : 진공 속에서 고에너지 이온가스 분자가 석영으로 된 음극 표적 재료에 충돌하여 SiO2를 떼어낸 뒤 양극에 위치한 실리콘 웨이퍼에 증착시킨다. 표적재료가 고순도 실리콘인 경우는 산소부분압 속에서 증착한다.
② 250℃～600℃공정
․저온 화학 기상증착 : 사일테론(SiH4)의 산화에 의한 증착. SiH4와 산소, 질소 혼합 개스가 웨이퍼 위로 흐르면서 산화막이 증착된다. 막의 두께는 5,000～15,000Å이다.
③ 600℃～900℃
․MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) : 실리콘 유기화합물(TEOS)의 열분해를 통해 산화막을 증착시킨다. 증착 속도는 200~800Å/min 이다.
SiH4나 SiCl4의 산화: SiH4나 SiCl4의 산화공정에 산소 스스로 CO2 개스를 첨가하여 산화막을 얻는다. CO2 농도는 대략 2～10%이다. 성장속도는 200Å/min(900℃)이다. 특히 실리콘 게이트 MOS 소자를 만드는데 많이 쓰인다.
④ 900℃～1200℃사이의 공정
․열산화 : 실리콘을 산소 분위기 속에서 가열하여 산화막을 얻으며 산화 공정중에서 많이 사용되는 공정이다.

참고 자료

없음