[재료과학] 반도체제조공정

등록일 2003.11.13 한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 500원

소개글

불순물반도체 제조공정입니다

목차

■ 개 요
■ 제조공정
■ 이온주입(ION IMPLAN-TATION)공정
■ DIFFUSION 공정
■ 결과 & 의견

본문내용

고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 단결정 성장로에서 단결정봉으로 변형시킨다. 성장로의 조건은 섭씨 1400℃의 고진공상태이고 매우 정밀하다.

결정봉의 조건등을 조사하고 부분별로 정확한 직경을 가진 봉으로 가공한다. 여기에서 웨이퍼의 크기를 결정한다. 현재 3“, 4”, 6“, 8”을 쓰고 있으며 생산향상을 위헤 점점 대구경화 되고 있다


봉을 흑연빔에 놓고 정확하게 얇게 절삭한다. 즉 웨이퍼를 만드는 과정이다.

웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려넣게 됨

CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다

설계된 회로패턴을 E-beam설비로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만듬

고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜
얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)를 현상시켜는 공정

빛에 민감한 물질인 PR를 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킴

STEPPEE를 사용하여 MASK에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정

웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정

참고 자료

http://www.semipark.co.kr 반도체 정보 사이트
http://newton.hanyang.ac.kr/ 한양대 응용물리학과
http://home.megapass.co.kr/~snareeye/ 김재환 개인 홈페이지
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