박막증착

등록일 2003.10.24 한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,000원

목차

1.박막증착
cvd
Sputtering
sputtering
spining

2. 진공증착의 분류
Sputter deposition의 원리 및 특징
Sputter deposition의 장단점을 보면
Sputtered 박막의 구조
Bias Sputtering
DC Sputtering
RF sputtering
Reactive Sputtering

3. Direct and Indirect transition반도체
plasmon band gap

본문내용

박막 증착

반도체 소자나 집적회로의 제작에는 많은 종류의 박막( Thin film )이 증착된다. 이 박막을 증착 시키기 위한 대표적인 방법으로는 물리적으로 증착시키는 Evaporation, Sputtering, SOG( Spin on Glass ) 등과 화학적인 반응을 이용한 CVD( Chemical Vaper Deposition )가 있다.

cvd
증착하고 싶은 필름을 개스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 개스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다.

*장점
- 고순도 film 형성 가능
- 재료의 선택에 따라 각종 박막형성이 가능
- control 하기 쉽다
- 대량처리가 가능하다.

종류
APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)

- 760 torr , 400 C - 500 C에서 동작
- 간단한 반응노, 낮은 온도와 높은 증착률이 장점
- gas의 소비량이 많고 분순물 문제가 발생하기 쉽다.
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