[재료금속] Gate Oxide(게이트옥사이드)

등록일 2003.10.22 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

* 최근의 Gate Oxide

*Gate Oxide란
1. Oxide Scaling
2. Source/Drain Engineering
3. Channel Engineering
4. Circuit and Device Interactions

본문내용

최근의 반도체 소자의 급격한 발전과 놀랄만한 속도는 소자의 집적화와 그에 따른 공정의 발전에 기인한다. transistor에서는 channel의 거리를 줄이고 gate oxide를 줄임으로써 고속화를 이루어 왔다. Channel의 거리가 줄어듬에 따라 transistor의 on/off 동작이 불완전하게 되는 소위 "짧은 채널 효과 (Short Channel Effect)"가 발생하게 된다. 트랜지스터에서 gate 산화막의 두께를 줄이면 트랜지스터의 성능 자체의 향상과 짧은 채널 효과 억제를 얻을 수 있다.
Gate oxide으로 현재 사용되고 있는 SiO2
기반의 thermal oxide의 경우 열적, 화학적 안정성과 Si와의 계면에 interface trap을 매우 작게 조절할 수 있기 때문에 널리 사용되어 왔다. 그러나 gate oxide의 두께가 20Å 이하가 요구됨에 따라 gate와 channel 사이에서 전자가 유전체를 양자 역학적으로 통과하는 true-tunneling이 크게 발생한다. 결국 gate oxide 두께가 감소할수록 true-tunneling이 크게 발생한다. 결국 gate oxide의 두께가 감소할수록 true-tunneling이 증가하여, 1.3nm가 될 경우 leakage current는 gate voltage가 1V에서 10A/cm2 정도로 심각하게 된다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • Comparison of Gate Oxide Thickness Measurement (Comparison of Gate Oxide Thickness Measurement) (Comparison of Gate Oxide Thickness Measurement) 1페이지
    한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 장효식, 황현상, 김현경, 문대원 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 장효식, 황현상, 김현경, 문대원
  • Gate Oxide 두께에 따른 NMOSFET 소자의 전기적 특성 분석 1페이지
    한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한창훈, 이경수, 최병덕 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한창훈, 이경수, 최병덕
  • 재료 : ICP Oxide Etcher 안에서의 가스 흐름의 대칭성 향상 (Enhancement of Gas Flow Symmetry in the ICP Oxide Etcher) (Enhancement of Gas Flow Symmetry in the ICP Oxide Etcher) 4페이지
    한국화학공학회 화학공학의 이론과 응용 정원영 , 김도현 ( Won Young Chung , Do Hyun Kim ) 한국화학공학회 화학공학의 이론과 응용 정원영 , 김도현 ( Won Young Chung , Do Hyun Kim )
  • 제7장 기본 논리 게이트 설계 실험(결과) 8페이지
    6. 실험과 결과 측정 표 7-3 AND 게이트 실험 결과 A B ① ② ③ A ? B 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 그림 7-8 의 회로를 보면 NOT게이트의 입력이 1을 받으면 0을 출력함으로써 LED에 불이 ..
  • 기본논리게이트 예비보고서 7페이지
    2주차 <기본논리게이트> 기본논리게이트 예비보고서 일시 : 2013. 3. 13(수) 장소 : P204 1. 실험 제목 □ 기본논리게이트 2. 실험목적 □ 우리 주변의 대부분의 전자기기들은 디지털 시스템으로 이루어져 있다. “0”과“1”로 이루어져 있는 디지털 시스템을..
  • VHDL을 이용한 논리 게이트 실습 28페이지
    VHDL 및 실습 Report QuartusⅡ를 이용한 기본 논리게이트 실습 제출일 2013년 3월 18일 제출기한 2013년 3월 18일 담당교수 최 종 성 교수님 학과 전 자 공 학 과 학번 2009144029 이름 우 경 제 1. 실습명 : QuartusⅡ를 이..
  • 논리게이트 4페이지
    . OR 게이트 OR Gate는 일반적으로 더하기 라고 생각 하면 이해가 빠르다. 우리가 일반적으로 아는 더하기는 1+1=2 라는 답을 얻을 수 있지만 논리식에서의 더하기는 1+1=1 이라는 결과 값이 나오게 된다. 이것만 생각한다면 그리 어렵지 않다. <진리표> 입력..
더보기

이 자료와 함께 구매한 자료

      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      4. 지식포인트 보유 시 지식포인트가 차감되며
         미보유 시 아이디당 1일 3회만 제공됩니다.
      상세하단 배너
      최근 본 자료더보기
      상세우측 배너
      [재료금속] Gate Oxide(게이트옥사이드)