반도체공정(CVD)

*류*

최초 등록일: 2003.10.13
최종 저작일: 2003.10; 7페이지/ 한컴오피스; 가격 1,000원

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본문내용

1. comparison of CVD to other film formation technique
: thermal oxidation evaporation 에 대한 공정과정 설명

2. materials deposited by CVD
* silicon -> single crystal
* barrier
* semi-conductor

3. CVD Film Growth
지속적인 필름 성장을 위해서는
; 반응물 계속 주입
; 부산물의 지속적인 제거

4. Boundary layer flow

5. Reynolds number (Re)
Re = ʋvp / ƞ

6. kinetic theory of gasses mean free path
; 온도에 따른 CVD 의존성

참고 자료

참고문헌
* Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd edition) - Richard C. Jaeger -
* 고체전자공학(4th edition)- Ben G. Streetman -

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