[신소재공학] SnO₂반도체의 전기 전도도 및 CO 가스 검지

목차

요 약

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 실험 방법
1. Conductance
2. Resistance

Ⅲ. 결과 및 관찰

Ⅳ. 결 론

본문내용

SnO₂와 바인더를 사용하여 Screep Print법으로 제조된 후막 시편으로 전기전도도와 CO 가스를 감지하였다. 전도도와 저항 측정을 위한 후막 시편은 알루미나 기판위에 제조하였다. 후막 시편의 전도성 변화는 일반적으로 온도 증가에 따른 전도성 증가로 Trap구간은 전도 이동자(conduction carrier) 농도 감소와 온도 증가에 따른 반도성 세라믹스의 전도 이동자 농도 증가가 상호 상쇄되어 전도성 변화가 작게 나타난 것이다. 후막 시편의 CO 농도에 따른 반응성(response) 및 회복성(recovery)의 거동을 측정해서 Air, 50ppm CO의 저항값과 500ppm CO의 저항값으로 정의했다.

Ⅰ. 서 론
1952년 Brattan과 Bardeen은 반도체 표면의 가스 흡착으로 그 반도체의 전기 저항이 민감하게 변화한다는 사실을 학계에 보고 하였다. 그 이후 이 원리를 이용하여 가스 센서를 만들려는 연구가 활발히 진행되었다. 1970년 일본의 N.Taguchi는 SnO₂를 재료로 하는 세라믹형 반도체 가스 검출 소자를 개발하게 되었으며 이를 계기로 가스 검출 소자는 실용화 단계에 이르렀다.

참고 자료

없음