Wafer 결정성장 방법

등록일 2003.10.03 한글 (hwp) | 15페이지 | 가격 1,000원

목차

1.Wafer의 조건
2.Wafer의 구분
3. 에피택시에 의한 단결정층의 제작

본문내용

3. 에피택시에 의한 단결정층의 제작
이미 만들어져 있는 단결정의 표면에 그 결정과 결정방향을 맞추어서 새로운 결정층을 형성하는 기술을 에피택셜 성장법(epitaxial growth) 또는 에피택시법(epitaxy)이라고 한다. 일반적으로 에피택시에 의한 결정성장은 벌크 단결정보다 낮은 온도에서 행할 수 있기 때문에 불순물의 혼입이 적고 또 결정의 완전성도 벌크의 단결정에 비해 좋게 할 수가 있다. Si 쌍극성 트랜지스터, 화합물 반도체를 사용한 반도체 레이저, 고주파, FET 등의 소자제작에 사용되고 있다. 보통 균일성이 좋은 0.5 ∼ 수 ㎛의 얇은 층이 제작되고 있다.
에피택시 방법은 액상 에피택시, 기상 에피택시, 분자빔 에피택시, 금속 유기물 화학 기상증착의 네 종류로 분류할 수 있지만, 재료면에서는 기판 재료와 동일한 화학조성을 지닌 층을 형성시키는 동종(homo) 에피택시와 기판 재료와는 다른 화학조성의 층을 형성하는 이종(hetero)에피택시로 분류 할 수 있다.

참고 자료

고체 물리학 - 박홍이 외 6명 <사이텍 미디어>
반도체 공정 기술 - 황호정 <생능출판사>
반도체 공학 - 강정진 외 1명 <집문당>
최신 반도체 공학 - 윤현민 외 1명 <학문사>
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