다이오드의 종류 및 특성

등록일 2003.09.19 한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,000원

목차

Schottky diode
varactor
photo doiode
APD(Avalanche Photo Diode)
LED(Lighter Emitting Diode)
LD(Laser Diode)
tunnel diode(Esaki diode)
IMPATT diode
BARITT diode
RTD(Resonant-Tunueling Diode)

본문내용

Schottky diode

일반 다이오드는 P-N 접합을 이용하여 순방향 턴온 전압이 0.6~0.7V 정도에서 동작을 하는데 비해서, 쇼트키 다이오드는 쇼트키배리어를 이용하여 순방향전압을 0.2~0.3V 정도로 낮추어 전력손실을 최소화 하면서 고속 동작을 할 수 있게 만든 다이오드입니다.
대표적인 것에는 과거에 사용되던 셀렌광석검파기, 실리콘 및 갈륨비소 쇼트키 다이오드가 있다. 쇼트키 다이오드에 흐르는 전류는 가해지는 전압의 지수함수로 나타내며, 반도체 p-n접합 다이오드와 유사한 특성을 나타낸다.
매우 좁은 쇼트키 장벽 내에서 전류제어작용이 행하여지기 때문에 고속동작(高速動作)에 적합하며, 마이크로파 수신 혼합기, 고속 논리용 다이오드 등에 사용된다.
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