[전자회로실험] BJT의 단자 특성과 바이어싱

등록일 2003.09.17 한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 700원

목차

1. 목적

2. 예비 지식

3. 준비

4. PSPICE

5. 실험

6. 결과

본문내용

1. 목적
(1) 활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 단자 특성을 실험을 통해 이해 한다.
(2) BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한 다.

2. 예비지식

2.1 BJT의 물리적인 구조와 회로 기회
그림 9.1은 BJT의 물리적인 구조를 간략화하여 나타낸 것이다. 그림에 보인 것처럼 트랜 지스터는 세 개의 반도에 영역, 즉 이미터 영역, 베이스 영역, 그리고 컬렉터 영역으로 구 성된다. 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn 트랜지스터라고 부른다. npn 트랜지스터와는 상반되게 p형 이미터, n형 베이스, 그리고 p형 컬렉터로 구성된 트랜지스터를 우리는 pnp 트랜지스터라고 부른다. pnp 트랜지스터의 물리적인 구조를 그림 9.2에 나타냈다.
그림 9.1과 9.2에서 트랜지스터의 세 개의 반도체 영역의 각각에 단자들이 접속되어 있 는데 우리는 이 단자들을 각각 이미터, 베이스, 그리고 컬렉터라고 명명한다. 이제 우리는 트랜지스터가 두 개의 pn 접합, 즉 이미터-베이스 접합과 컬렉터-베이스 접합으로 구성된 다는 것을 알 수 있다. 이들 접합에 대한 각각의 바이어스 상태에 따라 표 9.1에 보인 것 처럼 서로 다른 동작 모드가 얻어진다. 트랜지스터를 증폭기로 사용하려면 이를 활성 모드 에서 동작시켜야 하고 스위치로 사용하려면 차단 모드와 포화모드 둘 다에서 동작시켜야 한다.
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