DRAM

등록일 2003.09.11 한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

목차

◉ DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 개요와 구조
◉ DRAM의 동작 원리
◉ DRAM의 종류
◉ DRAM Capacitor 의 종류와 개발 현황

본문내용

◉ DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 개요와 구조

Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해서 일정한 시간 안에 매 비트를 refresh하는 것을 말하며, Random Access는 메모리 칩의 모든셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행한다는 것을 말한다. 이것은 순차적 메모리 장치와는 대조적인 것으로, 순차적 메모리 장치에서는 반드시 일정한 순서대로 읽기/쓰기를 행한다. 예를 들면 디스크는 랜덤 억세스를, 카세트 테이프는 순차 억세스를 한다.
각각의 DRAM 비트는 SRAM이 6개 트랜지스터를 사용하는데 반해 1개의 트랜지스터와 캐패시터로 만들어진다. 메모리 리프래시가 필요한 이유는 캐패시터 때문으로 캐패시터는 완전한 절연이 되지 않아 내부의 전하를 잃어버리기 때문이다. 또, DRAM은 임의의 억세스에 대해 고속으로 읽기, 쓰기가 가능하며, 읽고 쓰는데 걸리는 시간은 거의 같다.
DRAM은 데이터를 써놓은 후 주기적으로 리프래시하지 않으면 그 데이터를 잃어버리는 성질이 있어서 이것을 위한 재생회로를 메모리에 부착한다. 따라서 회성 구성이 복잡해지지만 가격 면에서 저렴하다. 그리고 DRAM이 SRAM보다 저렴한 이유는 단순히 번지세트로 구성이 되는 것이 아니라 비트별로 행번지와 컬럼 번지를 가지기 때문이다.
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