[실리콘직접회로] 산화실리콘 열산화의 변화 실험 및 고찰

등록일 2003.09.06 한글 (hwp) | 9페이지 | 가격 1,000원

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목차

1. 실험목적
2. 이론적 배경
3. 실험 방법
4. 실험 결과 및 고찰
5. 결론
6. 참고자료

본문내용

* 열산화 기구
Deal과 Grove의 분석은 그림3에 보이는 것처럼 초기의 산화막이 두께가 X0인 실리콘 웨이퍼를 가지고 출발한다. 또한 분위기 속에서는 농도의 차이가 존재하므로, 가스 가운데에서의 O2의 농도를 CG, 산화막 표면에 가까운 곳의 O2의 농도 Cs로 둔다. 산화막 성장 속도의 미분 방정식을 풀면 Si의 산화에 대한 일반식이 나오게 된다.

X02+AX0=B(t+τ)
이된다. 이 식에 대해 다음의 경우를 고려해 보자.

①먼저 X0가 매우 작을 때, 즉 산화막이 매우 얇을 때
X0=B/A(t+τ)
②X0가 매우 클 경우
X02=B(t+τ)

실리콘의 열선화는 Si과 산화막 계면에서 산화제가 실리콘과 반응함으로써 일어난다. 그 과정에서 실리콘은 소모되며, Si-SiO2계면은 실리콘 벌크 쪽으로 이동한다. 산화공정이 지속되기 위해서는 산화제가 이미 생성된 Oxideᄙ 통과하여 Si표면에 확산된어야 하며, 온도, 압력, 확산계수, 용해도, 도펀트의 재분포, 실리콘의 방향, 전처리, 염소가스등의 요소에 의해서 영향을..

참고 자료

-실리콘 직접회로 공정기술, 이종덕, 대영사
-재료과학과 공학, William Callister, 희중당
-고체전자공학, Streetman, 사이텍 미디어
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