[전자회로] 증가형 MOSFET

등록일 2003.09.03 한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

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목차

1. 목적
2. 실험방법
3. 결과
4. 고찰

본문내용

증가형 MOSFET의 경우 드레인과 소스간에 채널이 형성되어 있지 않다. 따라서 게이트와 소스에 전위차를 가해 substrate의 전자를 끌어 들여 채널이 형성되는데 이때 채널이 형성되어 전류가 흐르기 시작하는 전압이 문턱전압 Vt가 된다. 문턱전압을 책에는 1.3V로 하였지만 실제 측정결과 1.3V에서는 0.07㎂가 흐르는 것을 확인 할 수 있었고 1.2V에서 0.01㎂의 전류가 흐르는 것을 확인 할 수 있었다. 따라서 실험 결과는 문턱전압이 1.2V가 되었다.
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