[전자회로] [전자실험]증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

등록일 2003.08.28 한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 목적
2. 예비 지식
2.1 FET의 특징
2.2 FET와 BJT의 특성비교
2.3 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)
2.4 금속산화물 반도체(MOSFET)
1) N 채널 증가형 MOSFET
2) P채널 증가형 MOSFET
3) N채널 공핍형 MOSFET
4) P채널 공핍형 MOSFET
3. 실험
3.1 포화 모드에서의 증가형
4. 실험 결과

본문내용

1. 목적
(1) 포화 영역엣 동작하는 증가형 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터의 단자 특 성을 실험을 통해 이해한다.
(2) 증가형 MOSFET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.

2. 예비 지식

2.1 FET의 특징
① 전자나 정공 중 하나의 반송자에 의해서만 동작하는 단극성 소자(UJT)
② 다수캐리어에 의해 동작하며 게이트의 역전압에 의해 드레인 전류가 제어되므로 전압 제어소자
③ BJT에 비해 입출력 임피던스가 높아서 전압증폭소자로 사용
④ 소형화 가능, 전력소비 적어 대규모 IC 에 적합( u-P, 메모리 등)

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