[전기전자] 반도체제작법

등록일 2003.07.13 한글 (hwp) | 15페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 서론

2. 본론

3, 결론

본문내용

1.서론
화합물 반도체는 이미 우리의 생활 주변에 널리 사용되고 있는 많은 종류의 전자 소자(electronic device)를 만드는 재료로 사용되고 있다. 여러 종류의 display panel에 사용되는 발광 다이오드(light emitting diode, LED)를 위시하여 퐝통신 시스템의 발광원으로 사용되는 LED와 반도체 레이저 (semiconductor or photonic laser 혹은 laser diode(LD)), 레이저 빛을 수신하는 photodetector 등으로 대표되는 광소자 (optoelectronic or photonic device)와 supercomputer의 고속 회로에 사용되는 Metal-Semicondyctor Field Effect Transistor (MESFET), 마이크로파(microwave) 및 밀리미터파(mm wave)영역의 고속 작동을 위한 Modulatinon Doped Field Effect Transisotor (MODFET) 등의 고속 전자소자 (High speed electronic device) 등에 화합물 반도체는 실리콘이 가지지 못한 특유의 전자 광자적 특성을 발휘하여 실리콘에 비해 월등한 성능을 보이고 있다. 한편, 이들 화합물 반도체 소자의 대부분은 bandgap energy가 다른 여러 종류의 화합물 반도체를 접합할 때 (즉 heterojunction을 형성할 때) 생기는 conduction band와 valence band의 에너지 불연속(enerht discontinuity)이 보이는 여러 성질들을 소자의 기능을 발휘하는 데에 이용하고 있다.

참고 자료

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