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전자회로 설계 및 실험 9. MOSFET의 특성 결과보고서

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최초 등록일
2016.10.04
최종 저작일
2016.05
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목차

1. 실험제목
2. 실험목표
3. 실험결과
4. 토의

본문내용

실험제목 MOSFET의 특성

실험목표
1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.
2. MOS 소자의 특성 곡선을 측정해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.

<중 략>

토의
이번 실험을 통해서 MOSFET의 문턱 전압 측정을 통해 트랜지스터를 사용자가 원하는 동작 영역에서 동작하도록 하기 위해서는 바이어스 전압을 잘 정의해야 한다는 것을 알 수 있었다. 또한, 이론적으로 존재하는 이상적 MOSFET에서는 포화영역에서 드레인 전류가 드레인 전압에 관계없이 일정하지만, 실제 실험을 통해 측정을 해본 결과 확실히 Channel Length Modulation effect로 인해 전압이 증가하면서 전류가 조금씩 증가하는 것을 알 수 있었고, 그 정도를 Channel Length Modulation coefficient λ로 계산할 수 있었다.

참고 자료

없음

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