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MOSFET DC Characteristics and Bias 실험 결과보고서

*대*
최초 등록일
2016.06.30
최종 저작일
2016.05
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목차

1. 실험목적
2. 회로도
3. 실험데이터
4. 결과분석 및 결론

본문내용

이번 실험은 각 고정된 에서 변화에 따른 전류 를 측정하고 그것을 통하여 MOSFET의 I-V 특성을 그래프로 그려 관찰하며 이를 통하여 포화영역에서 동작하는 증가형 MOSFET의 단자 특성을 이해하는 실험이었다. 증가형 MOSFET의 동작 영역은 게이트의 전압에 따라 cutoff 와 turn on (Triode & Saturation)으로 구분 지어진다. 위 그래프에서 확인 할 수 있듯이 cutoff mode는 (게이트 전압)이 Threshold Voltage : 를 넘지 못한다면 (드레인 전압)을 아무리 높여준다 하여도 전자가 이동할 수 있는 channel 영역이 형성되지 못하여 전류가 흐르지 않음을 볼 수 있었다.

참고 자료

없음
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