cu를 이용한 박막 증착 실험보고서

목차

1. 실험 목적
2. 실험 원리
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 고찰
6. 참고 문헌

본문내용

▶ 실험 목적
E-beam evaporator기계를 이용해 cu를 넣어 증착하는 실험을 하여 두께측정을 함으로써 E-beam evaporator의 원리와 과정을 숙달과 증착의 방법에 대해 알아봄으로 목적으로 한다.

▶ 실험 원리
증착의 종류
증착은 금속 증기를 만드는 원리에 따라 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)과 물리적 기상증착(Physical Vapor Deposition, PVD)으로 나뉜다. 그중 E-beam evaporator는 PVD방식이다. 화학적 기상 증착은 공정압력과 주입원의 상태, 에너지원등에 따라 나뉘고 물리적 기상 증착은 금속 증기의 형성방법에 따른 구분 방법이 있다.

화학적 기상 증착 (CVD)
CVD(Chemical Vapor Deposition)란 말 그대로 화학적 기상증착법을 의미한다. 이 방법은 접착력이 우수하고 복잡한 형태의 기판에 균일하게 증착시킬 수 있으며, 고순도 물질의 증착이 용이하다. 그리고 특정한 형태의 기판에 원하는 부위를 선택하여 국부적인 증착도 가능하다는 점 등 때문에 현재 반도체 제조법에 있어 가장 유용한 방법중 하나로 사용되고 있다. 내마모나 내식성 코팅 등의 여러 산업에도 다양하게 되고 있다. CVD의 기본원리는 기판에 증착하고자 하는 물질을 고체상태가 아닌 기체상태인 가스로 주입하고 반응챔버 내의 기판위에서 고온분해 또는 고온화학반응을 통해 증착시키는 방법이다. 이때 원활한 반응을 위해 높은 온도가 필요하게 되므로 CVD 법은 보통 약 1000℃ 정도의 고온에서 이루어진다.

예를 들어 기판위에 Si 를 증착시켜 본다고 해보자. 이를 위해서 보통은 SiH4(silane gas)를 가스를 많이 사용한다. SiH4는 가스형태로 챔버내에 주입되고 기판위에서 고온분해를 일으켜 다음과 같이 변화된다.

참고 자료

http://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:quiu7dZ1cQwJ:higgslab.co.kr/HyAdmin/download.php%3F%26bbs_id%3Dbo02%26page%3D%26type%3D1%26doc_num%3D38%26PHPSESSID%3Dc46fd90c89b3b5b8a00790f741ec5455+&cd=13&hl=ko&ct=clnk&gl=kr
http://shmission.com/xe/68137
https://en.wikipedia.org/wiki/Ellipsometry
http://marriott.tistory.com/73
http://blog.naver.com/kh015315/220184084467
http://physica.gsnu.ac.kr/phtml/electromagnetic/magnetic/mfield/mfield.html