다이오드의 특성

목차

1. 실험 목적 및 배경이론
2. 실험 내용
3. 결과 데이터
4. 고찰
5. 질문과 답

본문내용

1. 실험 목적 및 배경이론
* 실험 목적
: 다이오드의 대하여 알아보고 다이오드의 동작 원리를 이해한다.
: 다이오드의 종류에 따른 문턱 전압을 알아본다.
* 배경이론
: 실리콘이나 게르마늄은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. 진성반도체는 절류를 잘 흐르게 하지 못한다. 반도체 소자로 쓰기 위하여 불순물을 첨가하여 전도도를 증가시킨다. 이러한 과정을 도핑이라고 한다.
: 진성반도체에 미량의 3가 원소(붕소, 알루미늄 등)을 첨가한 것을 p형 반도체라고 한다. p형 반도체는 전하를 옮기는 캐리어로 정공이 사용된다. 진성반도체에 미량의 5가 원소를 첨가한 것은 n형 반도체라고 한다. n형 반도체는 전하를 옮기는 캐리어로 전자가 사용된다.
: 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 이루어진다.
:　pn 접합 후 즉시 공핍 층이 형성이 도니다. pn 접합이 처음 생성되면, n영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 p영역으로 확산된다. 자유전자들이 정공과 결합한 후에는 정공은 사라지며 전자들은 더 이상 자유롭지 못하게 도니다.

참고 자료

없음