LDV, Gap sensor 를 이용한 변위 측정 결과 보고서

목차

1.실험 이론
(1) LED칩 제조 공정
1) 정의
2) 원리
3) LED의 제조 공정
4) LED의 제조공정 각 단계별 기술동향
5) 적용사례
(2) Wafer Marking 장비
1) 정의 이론
2) Wafer의 분류
(3) LDV (장비)
1) 정의
2) 원리
3) LDV장비
4) 이론
(4) Gap Sensor (장비)
1) 정의
2) 원리 이론
3) 구성
4) 유의사항
5) 적용사례
(5) Ociloscope (장비)
1) 정의
2) 원리
3) 구조
4) 오실로스코프의 각부 명칭 및 기능
5) 오실로스코프의 초기 설정

2. 실험 결과

3. 결과 분석

4. 고찰
1) 오차요인
2) 오차요인개선
3) 실험고찰

5. 참고

본문내용

LED 제조공정은 크게 기판 제조, 에피성장, 칩공정, 패키징으로 나눌수 있고
페키징된 LED 제품을 조명, LCD 백라이트 등 각종 어플리케이션에 적용하게 된다.

(1)기판 공정: 가장 먼저 사파이어, SiC를 성장시켜 잉곳을 만들고 이를 절단하여 웨이퍼를 만들게 된다.
(2) 에피 성장: 웨이퍼 위에 MOCVD(유기화학금속증착기)로 화합물 반도체를 성장시켜 Epi 웨 이퍼를 만들게 된다. 이 때 업체의 기술력에 따라 수율의 차이가 나게 된다. 일반적으로 2인 치와 4인치 웨이퍼가 사용된다. 각 업체별 기술 경쟁력에 따라 웨이퍼의 크기와 수율이 좌우 된다.

<중 략>

반도체 디바이스 기판이 되는 재료로 반도체 원료를 육성하여 로드상으로 단결정화 시키고, 이것을 결정방위를 따라 얇게 따내어 연마ㆍ폴리쉬 등으로 거울면처럼 마무리한 것으로 반도체 기판이라고도 한다. 반도체 기판은 그 후 디바이스 가공프로세스의 포토리소그래피와 자동반송에 적용하기 위해 원형으로 작제되고 실리콘 기반에 대한 외형치수 등은 SEMI 규격이 제정되었다.

<중 략>

갭센서의 결우 최빈값과의 차이는 약0.00005~0.001V정도로 매우 작아 평균값을 사용하였다.
LDV의 경우는 최빈값을 사용 할 경우 대부분 0.08로 측정되어 반복능이 매우 우수 하다고 볼 수 있지만 오차측면에서 보면 물체를 재는 순간에도 측정값이 조금씩의 오차가 생길 수 있기 때문에 반복능이 0인 구간은 존재하지 않다고 생각하여 평균값을 내는게 바람직하다고 생각하였다.
갭센서의 반복능은 약 -1.1774m/실험횟수, t분포 범위는 –10.16<m<-3.896이며,
분해능은 0.005mm일 때 약 0.00041mm의 오차가 발생하였다.
LDV는 갭센서와 같은 수치의 이동은 10mm의 제한된 측정범위 때문에 하지 못하고, 따로 이동범위를 정하여 실험하였다. 1.414m/실험횟수의 반복능과 72.037<m<79.387 t분포를 갖으며, 분해능은 0.005mm일 때 약 0.002056mm의 오차값을 나타냈다.

참고 자료

구글 이미지 검색
위키피디아 백과사전 정의,원리 검색
Guide To LED, 학술논문, IT-SOC협회 2008년. 서지링크:KISTI
기사 비접촉식 변위센서의 작동원리와 응용사례, 이준한/SEVIT Tech 기술영업부
LED 산업동향 및 주요 이슈-전자정보센터,최재호 2007년,8월
㈜VNL 홈페이지 http://vnclab.changwon.ac.kr/index.html
Frontier Semiconductor Korea http://blog.naver.com/fsmkorea
오실로 스코프 사용법 http://kjo4225.hosting.paran.com/instruction/1a-5.html