반도체 클리닝 공정 (반도체 클리닝 공정에 대한 조사 레포트)

목차

I. 서론

II. 본론
1. 웨이퍼 세정(wafer cleaning)
2. 건식세정과정

III. 결론

참고문헌

본문내용

클리닝 과정(Cleaning Process)
실리콘 웨이퍼는 웨이퍼 제조 공정이나, 소자 집적을 위한 반도체 공정이 진행되는 과정에서 각종 오염물에 의해 표면이 오염된다.
이러한 오염물은 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 되기 때문에 반도체 소자의 제조 시에는 오염물이 많이 발생되는 단위 반도체 공정 이후에 세정공정을 실시하여 오염물의 농도를 적정한 수준으로 제어하여야 한다. 공정 이후에 세정공정을 실시하여 오염물의 농도를 적정한 수준으로 제어하여야 한다.

- 웨이퍼의 표면 상태 공정 과정
1. Oxide 막, Nitride 막, 잔류금속, Organic 제거
2. Micro 표면 거침의 정도 조절

- 오염의 종류
1. 통상 Particle로 불리는 미립자 Carbon 계열의 유기물
2. 무기물에 의한 이온성, 금속성 오염
3. 조절 되지 못한 자연 산화물
4.
- 땀에 의한 Na+ 오염
- 피부 박리 / 화장품 등에 의한 유기 오염
- 움직임 / 대화 등에 의한 Particle 오염
- 장비 발진
- Plasma 등에 의한 Energy source로 부터의 오염
- 공정 부산물
- DI
- Chemical
- Gas
- PR 등에 의한 오염

참고 자료

NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/nnfcblog/60199284214)