E-beam evaporator 원리

소개글

E-beam evaporator 원리, 특징, 과정등을 상세히 기술한 레포트 입니다.
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목차

1. 진공증착의 개요
2. E-beam evaporator의 원리
3. E-beam evaporator 특징
4. E-beam evaporator의 과정 및 Vacuum system
5. E-beam evaporator 기술의 응용

본문내용

• 진공증착의 개요
박막을 제조하는 기술은 크게 물리적 방식을 이용하는 Physical Vapor Deposition(PVD)과 화학적 방식을 이용하는 Chemical Vapor Deposition(CVD)로 분류될 수 있다. PVD는 CVD에 비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항열이나 전자 beam, laser beam 또는 plasma 를 이용하여 고체 상태의 물질을 기체 상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막제조 방식이다.
PVD방식으로 제조할 수 있는 박막재료는 금속, 합금을 비롯하여 화합물, 비금속 산화물 등이 있다. 이들 박막을 기능별로 분류하면 다음과 같으며, 각 기능별로 특성에 따른 응용분야를 조사하면 그 범위가 매우 넓다.
위에서 언급한 응용에는 최근 모든 기술의 경향인 device 의 소형, 경박화의 추세에 따라 급격히 확산되고 있다.

<중 략>

웨이퍼들은 source 위에 위치하고 증착하는 동안 균일한 점유율을 얻기 위해 보통 source 주위를 회전하며, 증발된 물질의 부착성과 균일성을 향상시키기 위해 종종 복사 가열된다. source 물질은 냉각된 crucible 내에 놓여 있고 증발과정 동안 물질의 표면만이 e-beam과 접촉한다. 순도는 원래 source재료의 순도에 의해 조절된다. 비교적 큰 크기의 source는 증발을 위해 실제 무한대의 물질을 공급하며, 증착속도는 e-beam의 전류와 에너지를 변화시킴으로써 쉽게 조절할 수 있다.
증착속도를 감시하는 한 가지 방법은 증착동안 증발물질에 덮이는 석영 결정을 사용하는 것이다. 결정의 공진 주파수는 증착된 박막의 두께에 비례하여 달라진다. 결정의 공진 주파수를 감시하면 증착속도는 1Å/sec 보다 더 정확하게 측정된다. 두 개의 표적을 가지고 있는 이중전자선은 e-beam 증착장비에서 화합물을 공동 증발시키기 위해 사용된다.

참고 자료

반도체 공정개론 / 교보문고 / 이살렬 외 2명 공역
반도체 공정기술 / 생능 / 황호정 저
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정 / 정항근 외 2명
실리콘 집적회로 공정기술 / 대영사 / 이종덕
Electron Beam Technology / S.Schiller