접합FET, 절연게이트 FET, 사이리스터의 특성실험
- 최초 등록일
- 2015.05.01
- 최종 저작일
- 2015.04
- 22페이지/ 한컴오피스
- 가격 3,000원
목차
1. 보고서 (요약)
2. 실험4. 접합 FET의 특성실험
3. 실험 5. 절연 게이트 FET의 특성실험
4. 실험 6. 사이리스터의 특성실험
본문내용
JFET와 bipolar 접합 Tr의 특성을 비교 설명하라.
bipolar 접합 Tr (이하 BJT)는 트랜지스터의 전류()를 제어하기 위해 입력되는 전류()를 조절하기 때문에 전류제어소자로 분류되는 반면 JFET는 ()를 제어하기 위해 입력되는 전압()을 조절하기 때문에 전압제어형 소자라고 분류합니다.
n-channel JFET와 p-channel JFET의 차이점을 설명하라.
N-channel FET의 경우 P형 물질에 게이트단자가 연결되어 있고 N형물질에 source/drain단자가 연결되어 있습니다. P-channel의 경우에는 반대로 N형 물질에 게이트 단자가 연결되어 있고 P형 물질에 source/drain단자가 연결되어있습니다. 역방향 바이어스와 공핍영역을 이용하여 제어하고 각 단자에 다른 물질이 연결되어 있으므로 n-channel JFET와 p-channel JFET의 극성이 서로 반대입니다.
<중 략>
JFET의 또 다른 용도가 있을까?
저항특성에 대해 설명하였으니, 타이머동작회로에도 사용할 수 있습니다. FET의 경우 높은 입력임피던스 때문에 BJT보단 상대적으로 영향을 덜 받게 되고, 온도에 덜 민감하기 때문에 훌륭한 타이밍스위치로 사용될 수 있습니다.
또, 이와 같은 원리로 광통신 시스템의 기본부품의 광섬유케이블 제어용으로도 사용가능하며, MOSFET의 경우, 릴레이 구동기의 문턱역할을 훌륭히 수행해 낼 수 있습니다.
마지막으로 JFET의 숨겨진 장점이 상대적으로 저전력이기 때문에 전력손실이 크지 않아 저렴한 설계를 할 수 있다는 점이 있겠습니다.
참고 자료
없음