[전자회로 설계 및 실험]결과보고서 모음

소개글

고려대 전자회로실험 결과보고서입니다.
실험보고서 A+받은 선배들 자료를 참고햐여
실험이론, 실험사진, 그래프, 표, P-spice사진, 실험결과 해석, 질문에 대한 답변 등 모두 정리했습니다.
결과보고서 대부분 10점을 받았고 전자회로 실험 A+받았습니다.
보고서는 예비보고서보다 결과보고서가 중요한데 참고자료로 쓰시면 유용할 거 같습니다!

목차

1. 전자회로 결과보고서 2
2. 전자회로 결과보고서 4
3. 전자회로 결과보고서 5
4. 전자회로 결과보고서 6
5. 전자회로 결과보고서 7
6. 전자회로 결과보고서 8
7. 전자회로 결과보고서 9
8. 전자회로 결과보고서 10

본문내용

전자회로 실험 결과보고서
실험8. MOSFET의 특성

1. 실험 목적
1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해본다.
2. MOS 소자의 특성 커브를 측정해보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.

실험1. 소자 문턱 전압의 측정
이번 실험에서는 그동안 다뤄왔던 BJT에서 벗어나 처음으로 MOSFET을 이용한 실험이 진행되었다. 소자 문턱 전압의 측정 실험과 소자 전도도 변수의 측정 실험에서 사용될 소자는 HEF4007로 데이터 시트를 살펴보면 아래와 같다.


<중 략>

질문

1. 문턱 전압은 DVM에 병렬 연결된 저항 값에 따라 변하는가?
문턱 전압은 트랜지스터 고유의 값으로 전압원과 DVM에 연결된 병렬 저항값에 좌우되는 것이 아니다. 실제로 실험 상 데이터에서도 V(GS)를 변화함에 따라 전류값은 달라졌지만, 특정한 점을 기준으로 전류 값의 기울기가 가파르게 증가하는 것을 관찰할 수 있는데 이 점이 문턱 전압 값이다.

참고 자료

없음

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